供应PTF180101S原装INFINEON

型号：PTF180101S

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型号：PTF180101S

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型号：PTF180101S

型号：PTF180101S

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 830 mOhms
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 200 C
安装风格: SMD/SMT
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
Pd-功率耗散: 58 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: LDMOS FET
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: - 0.5 V to 12 V
零件号别名: SP000009989 F180101SV1XT

型号：PTF180101S