供应IPD06N03LAG原装IR品牌

型号：IPD06N03LAG

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型号：IPD06N03LAG

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型号：IPD06N03LAG

型号：IPD06N03LAG

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4.6 ns
正向跨导 - 小值: 59 S / 29 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.2 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg

型号：IPD06N03LAG