供应PTFA191001E原装INFINEON品牌

型号：PTFA191001E

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型号：PTFA191001E

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型号：PTFA191001E

型号：PTFA191001E

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 900 mA
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
工作频率: 1.93 GHz to 1.99 GHz
增益: 17 dB
输出功率: 100 W
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: H-36248-2
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
高度: 3.61 mm
长度: 34.04 mm
Pd-功率耗散: 417 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: LDMOS FET
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
宽度: 19.43 mm
零件号别名: SP000317910 PTFA191001EV4XWSA1 FA191001EV4XP

型号：PTFA191001E