IPP200N25N3G晶体管MOSFET

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IPP200N25N3G晶体管MOSFET

IPP200N25N3G晶体管MOSFET产品属性属性
制造商: Infineon  
产品种类: MOSFET  
RoHS:  详细信息  
技术: Si  
安装风格: Through Hole  
封装 / 箱体: TO-220-3  
晶体管极性: N-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 250 V  
Id-连续漏极电流: 64 A  
Rds On-漏源导通电阻: 17.5 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  
Qg-栅极电荷: 86 nC  
zui小工作温度: - 55 C  
zui大工作温度: %2B 175 C  
Pd-功率耗散: 300 W  
通道模式: Enhancement  
商标名: OptiMOS  
封装: Tube  
商标: Infineon Technologies  
配置: Single  
下降时间: 12 ns  
正向跨导 - zui小值: 61 S  
高度: 15.65 mm  
长度: 10 mm  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 20 ns  
系列: OptiMOS 3  
工厂包装数量: 500  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 N-Channel  
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor  
典型关闭延迟时间: 45 ns  
典型接通延迟时间: 18 ns  
宽度: 4.4 mm  
零件号别名: SP000677894 IPP2N25N3GXK IPP200N25N3GXKSA1  
单位重量: 2 g 

IPP200N25N3G晶体管MOSFET

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