SQ4184EY-T1_GE3ICSQ汽车级功率MOSFET

SQ4184EY-T1_GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
SQ4184EY-T1_GE3IC安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 29 A
SQ4184EY-T1_GE3

Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 110 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 7.1 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: TrenchFET
SQ4184EY-T1_GE3

封装: Reel

封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 15 ns
正向跨导 - zui小值: 78 S
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
SQ4184EY-T1_GE3

系列: SQ

工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 187 mg

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服务领域:
公司关注高端产品路线，产品广泛应用于通讯网络、航空航天、军事设备、医疗机械、精密仪器、工控等领域

型号/规格

SQ4184EY-T1_GE3

品牌/商标

VISHAY/威世

封装

SOP8

批号

22+

数量

2500/包

安装风格

SMD/SMT

供应SQ4184EY-T1_GE3ICSQ汽车级功率MOSFET