FCB110N65FICN-CH 650V 35A D2PAK

FCB110N65F

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
FCB110N65F

封装 / 箱体: D2PAK-3

晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
FCB110N65F

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 98 nC
FCB110N65F

zui小工作温度: - 55 C

zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 357 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperFET II FRFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 5.7 ns
高度: 4.83 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET
上升时间: 21 ns
系列: FCB110N65F
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 89 ns
典型接通延迟时间: 31 ns
宽度: 9.65 mm
单位重量: 4 g

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公司关注高端产品路线，产品广泛应用于通讯网络、航空航天、军事设备、医疗机械、精密仪器、工控等领域

型号/规格

FCB110N65F

品牌/商标

ON/安森美

封装

TO-252

批号

22+

数量

6400

供应FCB110N65FICN-CH 650V 35A D2PAK