STF10N60M2晶体管MOSFET

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STF10N60M2晶体管MOSFET

产品属性属性值
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 7.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 560 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, %2B 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 13.5 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 13.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
系列: STF10N60M2
STF10N60M2晶体管MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32.5 ns
典型接通延迟时间: 8.8 ns
单位重量: 2 g
STF10N60M2晶体管MOSFET

STF10N60M2晶体管MOSFET

型号/规格

STF10N60M2

品牌/商标

ST

封装

TO 220

批号