STF13N60M2晶体管MOSFET

地区:广东 深圳
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STF13N60M2晶体管
产品属性属性值
制造商: STMicroelectronics  
产品种类: MOSFET  
RoHS:  详细信息  
技术: Si  
安装风格: Through Hole  
封装 / 箱体: TO-220-3  
晶体管极性: N-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 650 V  
Id-连续漏极电流: 11 A  
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, %2B 25 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V  
Qg-栅极电荷: 17 nC  
zui小工作温度: - 55 C  
zui大工作温度: %2B 150 C  
Pd-功率耗散: 25 W  
通道模式: Enhancement  
商标名: MDmesh  
封装: Tube  

STF13N60M2晶体管
商标: STMicroelectronics  
配置: Single  
下降时间: 9.5 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 10 ns  
系列: STF13N60M2  
工厂包装数量: 1000  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 N-Channel  
典型关闭延迟时间: 41 ns  
典型接通延迟时间: 11 ns  
单位重量: 2 g 
STF13N60M2晶体管

STF13N60M2晶体管

型号/规格

STF13N60M2

品牌/商标

ST

封装

TO-220FP

批号

最新

产品种类

晶体管MOSFET