供应IGBT单管 1KW50N65H5 原装英飞凌 场效应晶体管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市诚海机电科技有限公司

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第五代高速 650 V 50 A 硬开关 TRENCHSTOPTM IGBT 与 RAPID 1 快速超软防关联二极管联合封装到 TO-247 封装,打造同类产品中极为卓越的 IGBT。

特征描述

  • 650 V 击穿电压
  • 对比业界卓著的“HighSpeed 3”系列
  • 系数 Qg 降低 2.5 倍
  • 开关损耗系数降低 2 倍
  • VCEsat 降低 200mV
  • 联合封装 Rapid 硅二极管技术
  • 低 COES/EOSS
  • 温和正温度系数 VCEsat
  • Vf 具有温度稳定性

优势

  • 具有同类产品中非常好的效率,降低结温和外壳温度,提高器件可靠性
  • 母线电压可提升 50 V,同时不影响可靠性

  • 更高的功率密度设计
  • 潜在应用


型号/规格

1KW50N65H5

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

Eoff (Hard Switching)

0.18 mJ

Eon

0.52 mJ

IC (@ 25°) max

80 A

IC (@ 100°) max

56 A