产品详情

IGBT单管 IKQ75N120CH3 英飞凌 场效应晶体管

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市诚海机电科技有限公司

金牌会员2年

全部产品 进入商铺

特征描述

  • High power density – up to 75 A 1200 V IGBT co-packed with 75 A diode in TO-247 footprint
  • 20% lower R th(jh) compared to TO-247 3 pin
  • Extended collector-emitter pin creepage of 4.25 mm
  • Extended clip creepage due to fully encapsulated front side of the package

优势


  • Higher system power density – I c increase keeping the same system thermal performance
  • Lower thermal resistance R th(jh) and improved by ~15% heat dissipation capability of TO-247PLUS vs TO-247
  • Higher reliability, extended lifetime of the device
  • 指标参数
    ParametricsIKQ75N120CH3
    Eoff (Hard Switching)2.8 mJ
    Eon6.4 mJ
    IC (@ 25°)   max150 A
    IC (@ 100°)   max75 A
    ICpuls   max300 A
    IF   max75 A
    IFpuls   max300 A
    Irrm25 A
    Ptot   max938 W
    PackageTO-247-3
    QGate370 nC
    Qrr5100 nC
    RG6 ?
    RGint-
    Switching Frequency18-60 kHz
    Switching Frequency   min  max18 kHz   60 kHz
    TechnologyIGBT HighSpeed 3
    VCE(sat)2 V
    VCE   max1200 V
    VF1.9 V
    td(off)282 ns
    td(on)34 ns
    tf29 ns
    tr47 ns


型号/规格

IKQ75N120CH3

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

Eoff (Hard Switching)

2.8 mJ

Eon

6.4 mJ

IC (@ 25°) max

150 A

IC (@ 100°) max

75 A