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产品属性
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STD4NK80ZT4
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态
在售STD4NK80ZT4
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A(Tc)
驱动电压(MAX Rds On,MIN Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(MAX)
3.5 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(MAX)
4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(MAX)
22.5 nC @ 10 V
Vgs(MAX)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(MAX)
575 pF @ 25 V
FET 功能
功率耗散(MAX)
80W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
STD4NK80ZT4
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
STD4NK80ZT4
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STD4NK80ZT4
ST(意法半导体)
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
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