IRFB4332PBF 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	IRFB4332PBF
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	8006009580
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	53 weeks 1 day
风险等级	1.28
YTEOL	6.05
雪崩能效等级（Eas）	230 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	250 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	60 A
zui大漏极电流 (ID)	60 A
zui大漏源导通电阻	0.033 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	175 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	390 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	230 A
ren证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的zui长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

公司还提供以下

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