TC58NVG1S3HTA00 闪存

地区:广东 深圳
认证:

深圳市怡兴业电子科技有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

参数名称 参数值
Source Content uid TC58NVG1S3HTA00
是否Rohsren证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1839517224
零件包装代码 TSOP1
包装说明 TSOP1,
针数 48
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 5.76
Samacsys Description NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Samacsys Manufacturer Toshiba
JESD-30 代码 R-PDSO-G48
长度 18.4 mm
内存密度 2147483648 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 48
字数 268435456 words
字数代码 256000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
zui高工作温度 70 ?C
zui低工作温度
组织 256MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL
编程电压 3.3 V
座面zui大高度 1.2 mm
zui大供电电压 (Vsup) 3.6 V
zui小供电电压 (Vsup) 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 0.5 mm
端子位置 DUAL
类型 SLC NAND TYPE
宽度 12 mm

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)TC58NVG1S3HTA00
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV TC58NVG1S3HTA00
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)TC58NVG1S3HTA00
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货

全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。

型号/规格

TC58NVG1S3HTA00

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

封装

TSOP1

批号

22+

包装方式

卷带编带包装