NAND128W3A2BN6E NAND闪存

参数名称	参数值
Source Content uid	NAND128W3A2BN6E
是否Rohsren证	符合
生命周期	Transferred
Objectid	1985369352
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8542.32.00.51
风险等级	5.57
zui长访问时间	12000 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e3/e6
长度	18.4 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	1K
端子数量	48
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
zui高工作温度	85 ?C
zui低工作温度	-40 ?C
组织	16MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小	512 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
ren证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面zui大高度	1.2 mm
部门规模	16K
zui大待机电流	0.00005 A
子类别	Flash Memories
zui大压摆率	0.02 mA
zui大供电电压 (Vsup)	3.6 V
zui小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN/TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	SLC NAND TYPE
宽度	12 mm

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）NAND128W3A2BN6E
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV NAND128W3A2BN6E
精度：?0.05PF（A档） ?0.1PF（B档） ?0.25PF（C档） ?0.5%（D档）
?1%（F档） ?2%（G档） ?5%（J档） ?10%（K档）
?20%（M档） ?%2B80%-20%（Z档）NAND128W3A2BN6E
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田三星国巨风华华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

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型号/规格

NAND128W3A2BN6E

品牌/商标

ST/意法

封装

TSSOP48,

批号

22+

包装方式

卷带编带包装