ESD8472MUT5G 瞬态抑制器

参数名称	参数值
Source Content uid	ESD8472MUT5G
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
生命周期	Active
Objectid	1224079005
包装说明	R-PBCC-N2
针数	2
制造商包装代码	152AF
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	Malaysia
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.10.00.50
Factory Lead Time	33 weeks 4 days
风险等级	1.6
Samacsys Description	ON Semiconductor ESD8472MUT5G, Dual Bi-Directional TVS Diode, 0.3W, 2-Pin DFN
Samacsys Manufacturer	onsemi
Samacsys Modified On	2021-10-25 08:03:43
YTEOL	7.08
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE
zui大击穿电压	12 V
zui小击穿电压	7 V
击穿电压标称值	7 V
zui大钳位电压	20 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PBCC-N2
JESD-609代码	e4
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
zui高工作温度	150 ?C
zui低工作温度	-55 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	BIDIRECTIONAL
zui大功率耗散	0.3 W
参考标准	IEC-61000-4-2, 4-5
zui大重复峰值反向电压	5.3 V
子类别	Transient Suppressors
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的zui长时间	30

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）ESD8472MUT5G
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV ESD8472MUT5G
精度：?0.05PF（A档） ?0.1PF（B档） ?0.25PF（C档） ?0.5%（D档）
?1%（F档） ?2%（G档） ?5%（J档） ?10%（K档）ESD8472MUT5G
?20%（M档） ?%2B80%-20%（Z档）ESD8472MUT5G
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田三星国巨风华华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

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型号/规格

ESD8472MUT5G

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

X3DFN-2

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装