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6EDL04I06PT 全新原装 门驱动器
6EDL04x06xT and 6EDL04N02PR family200 V and 600 V three-phase gate driver with Over Current Protection (OCP),Enable (EN), Fault and Integrated Bootstrap Diode (BSD)
6EDL04I06PT 全新原装 门驱动器 的技术参数:
制造商 | Infineon |
产品种类 | 门驱动器 |
RoHS | 是 |
产品 | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
类型 | Full-Bridge |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | DSO-28 |
激励器数量 | 6 Driver |
输出端数量 | 6 Output |
输出电流 | 165 mA |
电源电压 | 13 V to 17.5 V |
上升时间 | 60 ns |
下降时间 | 26 ns |
工作温度 | - 40 C to + 105 C |
系列 | Infineon SOI |
封装 | Reel |
封装 | Cut Tape |
封装 | MouseReel |
商标 | Infineon Technologies |
高度 | 2.65 mm |
长度 | 18.1 mm |
逻辑类型 | CMOS, LSTTL |
湿度敏感性 | Yes |
工作电源电流 | 750 uA |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
产品类型 | Gate Drivers |
传播延迟(max) | 800 ns |
关闭 | Shutdown |
工厂包装数量 | 1000 |
子类别 | PMIC - Power Management ICs |
技术 | Si |
商标名 | EiceDRIVER |
宽度 | 7.6 mm |
零件号别名 | 6EDL4I6PTXT SP000926088 6EDL04I06PTXUMA1 |
6EDL04I06PT 全新原装 门驱动器 的描述:
The device 6ED family – 2nd generation is a full bridge driver to control power devices like MOS-transistors or IGBTs in 3-phase systems with a maximum blocking voltage of +600 V. Based on the used SOI-technology there is an excellent ruggedness on transient voltages.
该装置中没有寄生的晶闸管结构。因此,在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闭锁。使用CMOS方法在低端控制这6个独立的驱动程序。LSTTL兼容信号,降至3.3V逻辑。
该装置包括具有迟滞特性的欠压检测单元和过电流检测。通过选择电阻值和阈值水平定位ITRIP来调整过电流电平。这两种错误情况(欠压和过流)都会导致所有六个开关的明确关闭。在故障开路漏极输出引脚处提供了一个错误信号。
过事件后的阻塞时间可以通过针RCIN处的rc网络进行调整。输入端RCIN拥有一个2.8μA的内部电流源。因此,电阻器RRCIN是可选的。典型的输出电流可为165 mA上拉,375mA下拉。由于系统安全原因,310 ns联锁时间。
The function of input EN can optionally be extended with over-temperature detection, using an external NTCresistor . The monolithic integrated bootstrap diode structures between pins VCC and VBx can beused for power supply of the high side.
6EDL04I06PT
INFINEON(英飞凌)
DSO-28
23+
无铅/环保