MT61K256M32JE-14:A 原装 GDDR6

地区:广东 深圳
认证:

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MT61K256M32JE-14:A 原装 GDDR6

随机存取存储器(RAM)

丝印代码:D9WCW

2 Channels x 256 Meg x 16 I/O, 2 Channels x 512 Meg x 8 I/O

MT61K256M32JE-14:A 原装 GDDR6 的技术参数:


制造商

MICRON

存储器类型

易失

存储器格式

DRAM

技术

SGRAM - GDDR6

存储器容量

8Gb(256M x 32)

电压-电源

1.31V ~ 1.39V

工作温度

0°C ~ 95°C (TC)

时间频率

1.75GHz

安装类型

垫板安装

封装

FBGA-180(12*14)




MTFC8GAKAJCN-4MIT

MICRON/镁光

MTFC4GACAJCN-4MIT

MICRON/镁光

MTFC4GACAJCN-1MWT

MICRON/镁光

MT53E256M32D2DS-053WT:B

MICRON/镁光

MT53D512M64D4HR-053WT:D

MICRON/镁光

MT53D512M32D2DS-053WT:D

MICRON/镁光

MT52L512M32D2PF-107WT:B

MICRON/镁光

MT52L256M32D1PF-107WT:B

MICRON/镁光

MT41K64M16TW-107:J

MICRON/镁光

MT41K64M16TW-107IT:J

MICRON/镁光

MT41K512M8DA-107:P

MICRON/镁光

MT41K256M16TW-107:P

MICRON/镁光

MT41K256M16TW-107IT:P

MICRON/镁光

MT41K256M16TW-107AIT:P

MICRON/镁光

MT41K128M16JT-125:K

MICRON/镁光

MT41K128M16JT-125IT:K

MICRON/镁光

MT40A512M16LY-075:E

MICRON/镁光

MT29F64G08CBABBWPR:B

MICRON/镁光

MT29F4G08ABAEAWP:E

MICRON/镁光

MT29F2G08ABAGAWP-IT:G

MICRON/镁光

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

MICRON/镁光

MT29F2G08ABAEAWP:E

MICRON/镁光

MT29F2G08ABAEAH4:E

MICRON/镁光

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

MICRON/镁光

MT53D512M64D4HR-053 WT:D

MICRON/镁光

K4UBE3D4AA-MGCL

SAMSUNG/三星

K4UBE3D4AB-MGCL

SAMSUNG/三星

K4U6E3S4AA-MGCR

SAMSUNG/三星


型号

MT61K256M32JE-14:A

制造商

MICRON/镁光

封装

FBGA

批次

21+/22+

无铅/环保

无铅/环保