TC58NVG1S3HTAI0 原装 NAND FLASH

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TC58NVG1S3HTAI0 原装 NAND FLASH

FLASH - NANDSLC) 存储器 IC 2Gb256M x 8) 并联 25 ns 48-TSOP I

 

TC58NVG1S3HTAI0 原装 NAND FLASH 的技术参数:

制造商:

Kioxia

产品种类:

NAND闪存

RoHS:

 

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

TSOP-48

存储容量:

2 Gbit

接口类型:

Parallel

组织:

256 M x 8

数据总线宽度:

8 bit

电源电压:

2.7 V TO  3.6 V

电源电流(MAX):

30 mA

工作温度:

- 40 C TO + 85 C

封装:

Tray

存储类型:

NAND

湿度敏感性:

Yes

产品类型:

NAND Flash

包装量:

960

 

TC58NVG1S3HTAI0 原装 NAND FLASH 的特征:

SLC NAND 24nm

1Gb 128Gb

Extended temperature range

TSOP and BGA package

BENAND 24nm

èBuilt-in ECC SLC NAND

1Gb 8Gb

On-chip H/W ECC

Same reliability and performance

as raw SLC

Same hardware interface and

package as raw SLC

 

 

 

 

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TC58NVG1S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58NVG0S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58NVG0S3ETAI0 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58BVG1S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58BVG0S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

NT5CC64M16GP-DII 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5CC128M16JR-EK 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5AD512M16C4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5AD512M16A4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5AD256M16D4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

KMGX6001BA-B514 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

KMGP6001BA-B514 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A8G165WC-BCTD 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A8G165WC-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A8G165WB-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A4G165WF-BCTD 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A4G165WE-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

H9HCNNNCPUMLHR-NME 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H5AN8G6NCJR-VKC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H5AN4G6NBJR-VKC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H5AN4G6NBJR-UHC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H26M41208HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H26M41204HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

MTFC8GAKAJCN-4MIT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

MTFC4GACAJCN-4MIT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

MTFC4GACAJCN-1MWT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

MT53E256M32D2DS-053WT:B 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

MT53D512M64D4HR-053WT:D 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

 

型号

TC58NVG1S3HTAI0

制造商

TOSHIBA /KIOXIA东芝,铠侠

封装

TSOP

批次

22+

无铅/环保

无铅/环保