K4E8E324EB-EGCF 原装 LPDDR3

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K4E8E324EB-EGCF 原装 LPDDR3

8Gb LPDDR3 SDRAM  178FBGA, 11x11.5 

 

K4E8E324EB-EGCF 原装 LPDDR3  的技术参数:

制造商

 SAMSUNG

存储器容量

8G

架构

 256M x32 (32M x32 x 8banks)

工作电压

1.8 / 1.2 / 1.2 V

速率

1866Mbps

工作温度

-25 ~ 85 °C

Rohs

 

 K4E8E324EB-EGCF 原装 LPDDR3 的描述:

LPDDR全称是low power double data rate的缩写,中文直译是低功耗双重数据比率,也就是实现低功耗指定的内存同其他设备的数据交换标准,专门用于移动式电子产品。

 

三星 LPDDR3 (三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器) 的高性能、超快速度和高能效已得到公认,它支持各种移动解决方案,从智能手机到物联网和可穿戴设备,不一而足。


1. 存储器密度更大,高达 6GB,紧凑型封装:

先进的三星 LPDDR3 已在世界范围内被广泛采用,

它的密度得到进一步提高,并具备高性能的多任务处理功能

 

2. 实现高达 1,866 Mbps 的速度:

三星 LPDDR3 的性能在 LPDDR2 的基础上提升了 20%

可提供更快的速度,从而为移动功能和应用提供更好的支持

 

3. 可延长电池寿命

始终开启和始终连接的运行方式要求具备高效性能

三星的 LPDDR3 是一款卓越的产品,可延长电池寿命,而且功耗比上一代降低了 10%



型号

K4E8E324EB-EGCF

制造商

SAMSUNG/三星

封装

FBGA

批次

21+/22+

引脚数

178