供应TC58BVG1S3HTAI0 原装 NAND FLASH

容量(bit)

2G

Tech. node (nm)

24

存储器格式

闪存

存储器类型

 EEPROM - NAND

外包装

TRAY

Block size (bit)

(128K+4K)×8

I/O (bit)

8

描述

2Gbit BENAND, 3.3V, x8, 24nm, BGA

RoHS )

是

存储器容量

 2G (256M x 8)

工作电压（伏）

2.7 to 3.6

访问时间

25ns

温度规格

 -40°C ~ 85°C (TA)