供应H9HCNNN4KUMLHR-NME 原装 LPDDR4

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H9HCNNN4KUMLHR-NME 原装 LPDDR4

DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 4G-Bit 128M x 32 1.1V/1.8V 200-Pin FBGA

H9HCNNN4KUMLHR-NME LPDDR4   动态随机存储器 海力士 内存芯片 无铅环保


H9HCNNN4KUMLHR-NME 原装 LPDDR4 的技术参数:

制造商

SK HYNIX

RoHS

类别

DRAM动态随机存储器

DRAM类型

DRAM LPDDR4

封装/箱体

FBGA-200

架构

1GX16

工作电压

1.8V / 1.1V / 1.1V

工作温度

-25°C~+85°C

速率

3733Mbps

容量

4Gb (0.5GB)


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型号

H9HCNNN4KUMLHR-NME

制造商

SK Hynix /海力士

封装

FBGA

批次

21+/22+

无铅/环保

无铅/环保