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H9HCNNN4KUMLHR-NME 原装 LPDDR4
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 4G-Bit 128M x 32 1.1V/1.8V 200-Pin FBGA
H9HCNNN4KUMLHR-NME LPDDR4 动态随机存储器 海力士 内存芯片 无铅环保
H9HCNNN4KUMLHR-NME 原装 LPDDR4 的技术参数:
制造商 |
SK HYNIX |
RoHS |
是 |
类别 |
DRAM动态随机存储器 |
DRAM类型 |
DRAM LPDDR4 |
封装/箱体 |
FBGA-200 |
架构 |
1GX16 |
工作电压 |
1.8V / 1.1V / 1.1V |
工作温度 |
-25°C~+85°C |
速率 |
3733Mbps |
容量 |
4Gb (0.5GB) |
热门现货:
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H9HCNNN4KUMLHR-NME
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无铅/环保