供应K4E8E324EB-EGCG 原装 eMMC

地区:广东 深圳
认证:

深圳市迅丰达电子科技有限公司

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K4E8E324EB-EGCG 原装  eMMC 的技术参数:

制造商

SAMSUNG

工作电压

1.8V, 1.2V, 1.2V, 1.2V

容量

8Gb

RoHS

DRAM 类型

LPDDR3 SDRAM

封装 / 箱体

178FBGA, 11x11.5

架构

256M x32 (32M x32 x 8banks)

工作温度

-25 ~ 85°C

速率

2133Mbps (tCK=0.937ns)

 

 

三星 LPDDR3 (三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器) 的高性能、超快速度和高能效已得到公认,它支持各种移动解决方案,从智能手机到物联网和可穿戴设备,不一而足。

 

1. 存储器密度更大,高达 6GB,紧凑型封装:

先进的三星 LPDDR3 已在世界范围内被广泛采用,

它的密度得到进一步提高,并具备高性能的多任务处理功能

 

2. 实现高达 1,866 Mbps 的速度:

三星 LPDDR3 的性能在 LPDDR2 的基础上提升了 20%

可提供更快的速度,从而为移动功能和应用提供更好的支持

 

3. 可延长电池寿命:

始终开启和始终连接的运行方式要求具备高效性能

三星的 LPDDR3 是一款卓越的产品,可延长电池寿命,而且功耗比上一代降低了 10%

型号/规格

K4E8E324EB-EGCG

品牌/商标

SAMSUNG/三星

封装

FBGA

批号

22+

无铅/环保

无铅/环保