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K4A4G165WE-BCRC
制造商IC编号 | K4A4G165WE-BCRC |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR4 SDRAM |
IC代码 | 256MX16 DDR4 |
K4A4G165WE-BCRC
脚位/封装 | FBGA-96 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.2V |
温度规格 | 0°C TO +85°C |
速度 | DDR4-2400 (1200MHz @ CL=17, tRCD=17, tRP=17) |
标准包装数量 | 1120 |
DC | 18+ |
潜在应用 |
|
Number Of Words |
256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Power | Normal Power |
Generation |
6th Generatio |
K4A4G165WE-BCRC
4Gb DDR4 SDRAM电子芯片被组织为32兆位x 16输入/输出x8个存储体 设备。该同步装置实现了高速双数据速率 一般应用的传输速率高达2666 Mb/秒/引脚(DDR4-2666)。 该芯片设计符合以下关键DDR4 SDRAM特性 例如张贴的CAS、可编程CWL、内部(自)校准, 使用ODT引脚和异步实现芯片端接
4Gb DDR4 SDRAM电子芯片被组织为32兆位x 16输入/输出x8个存储体
设备。该同步装置实现了高速双数据速率
一般应用的传输速率高达2666 Mb/秒/引脚(DDR4-2666)。
该芯片设计符合以下关键DDR4 SDRAM特性
例如张贴的CAS、可编程CWL、内部(自)校准,
使用ODT引脚和异步复位的芯片端接。
所有控制和地址输入都与一对外部同步
提供差分时钟。输入在差分交叉点被锁存
时钟(CK上升,CK下降)。所有的输入/输出都与
源同步方式的双向选通脉冲对(DQS和DQS)。
地址总线用于传送行、列和库地址
RAS/CAS多路复用风格的信息。DDR4设备工作
采用单个1.2V (1.14V~1.26V)电源,1.2V(1.14V~1.26V) VDDQ
和2.5V(2.375伏~ 2.75伏)VPP。
4Gb DDR4 E-die设备提供96球FBGAs(x16)版本。
主要经营的品牌有:AD、AMD、ATMEL、alterA、ALLEGRO、AGILNET、XILINX、TI/BB、FAIRCHILD、ST、PHILIPS、MOTOROLA、IR、ON、NSC、SHARP、TOSHIBA、VISHAY、BROADCOM等.产品主要应用于IT、通信、遥控、航空航天、控制系统、汽车、机械、卫星数等全系列产品;产品应用于网络通信、汽车电子、工业自动化、安防、广电、电力及智能交通领域;公司有良好进货渠道。结合高科技市场拓展需要,公司不断加强技术支持服务和管理先进化的投入,降低成本,扩展客户网络。 主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络
主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络
SAMSUNG/三星
K4A4G165WE-BCRC
SDRAM
96FBGA
10000
4 Gb
256M x 16
2400 Mbps
1.2 V
0 ~ 85 °C
无铅/环保
1120