SAMSUNG/三星 储存器K4B4G1646E-BYMA

描述：K4B4G1646E-BYMA 
具有无铅和无卤素的96FBGA（符合RoHS）

K4B4G1646E-BYMA 
主要特点：
•JEDEC标准1.35V（1.28V〜1.45V）和1.5V（1.425V〜1.575V）
•VDDQ = 1.35V（1.28V〜1.45V）和1.5V（1.425V〜1.575V）
•400 MHz fCK表示800Mb / sec / pin，533MHz fCK表示1066Mb / sec / pin，
667MHz fCK（用于1333Mb / sec / pin），800MHz fCK（用于1600Mb / sec / pin）
933MHz fCK for 1866Mb / sec / pin
•8家银行
•可编程CAS延迟（已发布CAS）：5,6,7,8,9,10,11,12,13
•可编程加性延迟：0，CL-2或CL-1时钟
•可编程CAS写入延迟（CWL）= 5（DDR3-800），6
（DDR3-1066），7（DDR3-1333），8（DDR3-1600）和9（DDR3-1866）
•8位预取
•突发长度：8、4，tCCD = 4，不允许无缝读取
或撰写[使用A12或MRS即时down load]
•双向差分数据选通
•内部（自我）校准：通过ZQ引脚进行内部自我校准
（RZQ：240欧姆±1％）
•使用ODT引脚进行管芯端接
•平均刷新时间为7.8us（低于TCASE85C，3.9us低于TCASE）
85C<TCASE <95C
•支持工业温度（-4095C）
--40°C≤TCASE≤85°C时的tREFI 7.8us
-85°C <TCASE≤95°C时的tREFI 3.9us
•异步复位
•包装：96球FBGA-x16
•所有无铅产品均符合RoHS
•所有产品均无卤素4Gb DDR3 SDRAM E-die被组织为32Mbit x 16I / Os x 8bank，
设备。该同步设备实现了高速双数据速率
一般应用的传输速率高达1866Mb / sec / pin（DDR3-1866）。
该芯片的设计符合以下DDR3 SDRAM关键功能，例如发布的CAS，可编程CWL，内部（自）校准，
利用ODT引脚和异步复位来终止芯片。
所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点锁存（CK上升和CK下降）。所有I / O均与
源同步方式的一对双向选通（DQS和DQS）。地址总线用于传送行，列和库地址
RAS / CAS复用样式中的信息。 DDR3设备运行
使用单个1.35V（1.28V〜1.45V）或1.5V（1.425V〜1.575V）电源
和1.35V（1.28V〜1.45V）或1.5V（1.425V〜1.575V）VDDQ。
4Gb DDR3L E-die器件可用于96ball FBGA（x16）。

K4B4G1646E-BYMA 

K4B4G1646E-BYMA