K4B4G1646E-BCNB SAMSUNG/三星 储存器

描述：K4B4G1646E-BCNB
DRAM芯片DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96引脚FBGA，具有无铅和无卤素的96FBGA
（符合RoHS）
分类：K4B4G1646E-BCNB
内存>内存芯片> DRAM芯片

特点：K4B4G1646E-BCNB
•JEDEC标准1.5V（1.425V〜1.575V）
•VDDQ = 1.5V（1.425V〜1.575V）
•400 MHz fCK表示800Mb / sec / pin，533MHz fCK表示1066Mb / sec / pin，
对于1333Mb / sec / pin，667MHz fCK，对于1600Mb / sec / pin，800MHz fCK，
933MHz fCK用于1866Mb / sec / pin，1066 MHz fCK用于2133Mb / sec / pin
•8家银行
•可编程CAS延迟（已发布CAS）：5,6,7,8,9,10,11,13,14
•可编程加性延迟：0，CL-2或CL-1时钟
•可编程CAS写入延迟（CWL）= 5（DDR3-800），6
（DDR3-1066），7（DDR3-1333），8（DDR3-1600），9（DDR3-1866）和
10（DDR3-2133）
•8位预取
•突发长度：8、4，tCCD = 4，不允许无缝读取
或撰写[使用A12或MRS即时down load]
•双向差分数据选通
•内部（自我）校准：通过ZQ引脚进行内部自我校准
（RZQ：240欧姆±1％）
•使用ODT引脚进行管芯端接
•平均刷新时间为7.8us，低于TCASE85C，3.9us为
85C<TCASE <95C
•异步复位
•包装：96球FBGA-x16
•所有无铅产品均符合RoHS
•所有产品均不含卤素
4Gb DDR3 SDRAM E-die被组织为32Mbit x 16 I / O x 8bank，
设备。该同步设备实现了高速双数据速率
一般应用的传输速率高达2133Mb / sec / pin（DDR3-2133）。
该芯片的设计符合以下DDR3 SDRAM关键功能，例如发布的CAS，可编程CWL，内部（自）校准，利用ODT引脚和异步复位来终止芯片。所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点锁存（CK上升和CK下降）。所有I / O均与源同步方式的一对双向选通（DQS和DQS）。地址总线用于传送行，列和库地址RAS / CAS复用样式中的信息。 DDR3设备运行具有1.5V（1.425V〜1.575V）单电源和1.5V（1.425V〜1.575V）VDDQ。4Gb DDR3 E-die设备可用于96ball FBGA（x16）

K4B4G1646E-BCNB

K4B4G1646E-BCNB

主要经营的品牌有：AD、AMD、ATMEL、alterA、ALLEGRO、AGILNET、XILINX、TI/BB、FAIRCHILD、ST、PHILIPS、MOTOROLA、IR、ON、NSC、SHARP、TOSHIBA、VISHAY、BROADCOM等.产品主要应用于IT、通信、遥控、航空航天、控制系统、汽车、机械、卫星数等全系列产品；产品应用于网络通信、汽车电子、工业自动化、安防、广电、电力及智能交通领域;公司有良好进货渠道。结合高科技市场拓展需要，公司不断加强技术支持服务和管理先进化的投入，降低成本，扩展客户网络。 主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络

主营范围：消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络