K4B4G1646E-BCNB SAMSUNG/三星 储存器

地区:广东 深圳
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描述:K4B4G1646E-BCNB
DRAM芯片DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96引脚FBGA,具有无铅和无卤素的96FBGA
(符合RoHS)
分类:K4B4G1646E-BCNB
内存>内存芯片> DRAM芯片


特点:K4B4G1646E-BCNB
•JEDEC标准1.5V(1.425V〜1.575V)
•VDDQ = 1.5V(1.425V〜1.575V)
•400 MHz fCK表示800Mb / sec / pin,533MHz fCK表示1066Mb / sec / pin,
对于1333Mb / sec / pin,667MHz fCK,对于1600Mb / sec / pin,800MHz fCK,
933MHz fCK用于1866Mb / sec / pin,1066 MHz fCK用于2133Mb / sec / pin
•8家银行
•可编程CAS延迟(已发布CAS):5,6,7,8,9,10,11,13,14
•可编程加性延迟:0,CL-2或CL-1时钟
•可编程CAS写入延迟(CWL)= 5(DDR3-800),6
(DDR3-1066),7(DDR3-1333),8(DDR3-1600),9(DDR3-1866)和
10(DDR3-2133)
•8位预取
•突发长度:8、4,tCCD = 4,不允许无缝读取
或撰写[使用A12或MRS即时down load]
•双向差分数据选通
•内部(自我)校准:通过ZQ引脚进行内部自我校准
(RZQ:240欧姆±1%)
•使用ODT引脚进行管芯端接
•平均刷新时间为7.8us,低于TCASE85C,3.9us为
85C<TCASE <95C
•异步复位
•包装:96球FBGA-x16
•所有无铅产品均符合RoHS
•所有产品均不含卤素
4Gb DDR3 SDRAM E-die被组织为32Mbit x 16 I / O x 8bank,
设备。该同步设备实现了高速双数据速率
一般应用的传输速率高达2133Mb / sec / pin(DDR3-2133)。
该芯片的设计符合以下DDR3 SDRAM关键功能,例如发布的CAS,可编程CWL,内部(自)校准,利用ODT引脚和异步复位来终止芯片。所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点锁存(CK上升和CK下降)。所有I / O均与源同步方式的一对双向选通(DQS和DQS)。地址总线用于传送行,列和库地址RAS / CAS复用样式中的信息。 DDR3设备运行具有1.5V(1.425V〜1.575V)单电源和1.5V(1.425V〜1.575V)VDDQ。4Gb DDR3 E-die设备可用于96ball FBGA(x16)

K4B4G1646E-BCNB


K4B4G1646E-BCNB

主要经营的品牌有:AD、AMD、ATMEL、alterA、ALLEGRO、AGILNET、XILINX、TI/BB、FAIRCHILD、ST、PHILIPS、MOTOROLA、IR、ON、NSC、SHARP、TOSHIBA、VISHAY、BROADCOM等.产品主要应用于IT、通信、遥控、航空航天、控制系统、汽车、机械、卫星数等全系列产品;产品应用于网络通信、汽车电子、工业自动化、安防、广电、电力及智能交通领域;公司有良好进货渠道。结合高科技市场拓展需要,公司不断加强技术支持服务和管理先进化的投入,降低成本,扩展客户网络。 主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络

主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络

制造商:

SAMSUNG/三星

型号

K4B4G1646E-BCNB

系列:

SDRAM

封装

FBGA

数量

10000

容量

4 Gb

外包装

TRAY

无铅/环保

无铅/环保

电压(伏)

1.5 V

温度规格

Commercial (0°C – 95°C)

速度

DDR3-2133

标准包装数量

1120

Number Of Words

256M

Bit Organization

x16

Internal Banks

8 Banks