供应BSD840N H6327原装INFINEON品牌

型号：BSD840N H6327

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型号：BSD840N H6327

型号：BSD840N H6327

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型号：BSD840N H6327

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型号：BSD840N H6327

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型号：BSD840N H6327

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
型号：BSD840N H6327

技术: Si

型号：BSD840N H6327
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
晶体管极性: N-Channel
型号：BSD840N H6327

通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 880 mA
Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms, 373 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 550 mV
Qg-栅极电荷: 0.26 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
型号 ：BSD840N H6327

封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Dual
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
系列: BSD840
晶体管类型: 2 N-Channel

型号：BSD840N H6327
宽度: 1.25 mm
商标: Infineon Technologies

型号：BSD840N H6327
正向跨导 - 小值: 2.5 S, 2.5 S
下降时间: 0.9 ns, 0.9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.2 ns, 2.2 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 7.8 ns, 7.8 ns
典型接通延迟时间: 1.9 ns, 1.9 ns
零件号别名: BSD840N H6327 SP000917654
单位重量: 7.500 mg

说明：

MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6

型号：BSD840N H6327

封装：SOT-363-6

型号：BSD840N H6327