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型号:IRGS10B60KDPBF
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型号:IRGS10B60KDPBF
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型号:IRGS10B60KDPBF
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 35 A
Pd-功率耗散: 156 W
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Infineon / IR
集电极大连续电流 Ic: 35 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: IGBTs
宽度: 9.65 mm
零件号别名: SP001540990
单位重量: 260.400 mg
型号:IRGS10B60KDPBF
IRGS10B60KDPBF
INFINEON
DPAK-3
21+
6371