MMBFJ112 N沟道MOS场效应管​

MMBFJ111 MMBFJ112 MMBFJ113

MMBFJ112丝印6R SOT23 N沟道MOS场效应管
35V  350MW
N 通道开关该器件专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器而设计。

MMBFJ112尺寸图

MMBFJ112参数

Absolute Maximum Ratings  *
TA = 25°C 除非另有说明
符号参数值单位
VDG 漏栅电压35V
VGS 栅源电压- 35V
IGF 正向栅极电流 50mA
TJ ,Tstg 操作和存储连接温度范围
-55 至 +150°C

*这些额定值是限制值，超过该值可能会损害任何半导体设备的适用性。
注意：1) 这些额定值基于 150 摄氏度的zui大结温。
2) 这些是稳态极限。 对于涉及脉冲或低占空比操作的应用，应咨询工厂。
热特性
TA = 25°C 除非另有说明

除非另有说明，否则热特性 TA = 25°C
符号参数值单位
VDG 漏栅电压35V
VGS 栅源电压- 35V
IGF 正向栅极电流 50mA
TJ ,Tstg 操作和存储连接温度范围    -55 至 +150°C
符号      特性       Max(J111- J113/*MMBFJ111)      单位
25°C 以上的 PD 总器件耗散降额 (350,2.8/225,1.8 毫瓦，毫瓦/°C)
RθJC 热阻，连接到外壳 125 - °C/W
RθJA 热阻，连接到环境温度 357 556°C/W

除非另有说明，否则电气特性 TA = 25°C
关闭特性
符号 参数 测试条件 Min Max Units
关于特性
IDSS零门
电压漏极电流 *VDS = 15 V，IGS = 0 (J111 J112 J113)
（20 5.0 2.0mA
rDS(on) 漏源导通电阻 VDS≤0.1 V, VGS = 0 （J111 J112 J113） （30 50 100 Ω ）


小信号特性
Cdg(on)/Csg(on) Drain Gate & Source Gate OnC apac itance VDS = 0, VGS = 0, f = 1. 0 MH z 28pF
Cdg(off) 漏栅关断电容 VDS = 0，VGS = - 10 V，f = 1.0 MHz 5.0pF
Csg(off) 源极关断电容 VDS = 0，VGS = - 10 V，f = 1.0 MHz 5.0pF