FDA50N50 N沟道场效应管500V

FDA50N50特征
48A、500V、RDS(on) = 0.105Ω @VGS = 10V
低栅极电荷（典型值为 105 nC）
低Crss（典型值为45 pF）
快速切换
100% 雪崩测试
改进的 dv/dt 功能

FDA50N50描述

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的平面条带 DMOS 技术生产。

这种先进技术专为zui大limit地减小导通电阻、提供卓越的开关性能和承受高 雪崩和换向模式下的能量脉冲。 这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正.

Absolute Maximum Ratings
符号 参数 FDH50N50/FDA50N50 单位
VDSS 漏源电压500V
ID 漏极电流 - 连续 (TC = 25°C)- 连续 (TC = 100°C)4830.8AA
IDMDrain 电流脉冲（注 1）192A
VGSS 栅源电压 ±20V
EASS单脉冲雪崩能量(注2)1868mJIARA雪崩电流(注1)48A
EAR 重复雪崩能量（注 1） 62.5mJdv/dt
峰值二极管恢复 dv/dt(注 3)4.5V/nsPD
功耗 (TC = 25°C)- 超过 25°C6255WW/°CTJ 时降额，TSTG 操作和存储温度范围 - 55 至 +150°C
TL 用于焊接目的的zui大引线温度，距离外壳 1/8" 5 秒 300°C