奥诗达LTV-352T光宝光电耦合器 贴片光耦

LTV-352T 光耦合器 

表面安装  Mini-Flat

封装4引脚

LTV-352T特征
高电流传输比（CTR : MIN. 1000% at IF =1mA, VCE =2V ）

高输入输出隔离电压（Viso =3,750Vrms）
高集电极-发射极电压（VCEO =300V）
迷你扁平封装：2.0mm

外形：LTV-352T

LTV-352T应用
需要高密度安装的混合基板。
电话机
复印机、传真机
与各种电源电路、配电板接口。

LTV-352T尺寸图

包装图

参数图

ABSOLUTE  MAXIMUM  RATING ( Ta = 25°C )
参数 符号 单位
正向电流 IF 50 mA
反向电压 VR 6 V
 输入
功耗 P 70 mW
集电极 - 发射极电压 VCEO 300 V
发射极 - 集电极电压 VECO 0.1 V
集电极电流 IC150 mA
输出
集电极功耗 PC 150 mW
总功耗 Ptot 170 mW
*1 隔离电压 Viso3,750 Vrms
工作温度 Topr-55 ~ +100 °C
储存温度 Tstg-55 ~ +150 °C
*2 焊接温度 Tsol 260 °C

*1. AC 1 分钟，R.H. = 40 ~ 60% 隔离电压应使用以下方法测量。
(1)yi次侧的阳极和阴极之间以及二次侧的集电极和发射极之间短路。
(2) 应使用带过零电路的隔离电压测试仪。 (3) 施加电压的波形应为正弦波。
*2. 10 秒

电气 - 光学特性 (Ta = 25°C)
参数符号.TYP.MAX.UNITCONDITIONS
正向电压 VF — 1.2 1.4 V IF=10mA
反向电流 IR — — 10 μAVR=4V
输入
终端电容 Ct — 30 250pF V=0, f=1KHz
集电极暗电流 ICEO — — 200nA VCE=200V, IF=0
集电极-发射极击穿电压 BVCEO 300— — V IC=0.1mA IF=0
输出
发射极-集电极击穿电压 BVECO 0.1 — — V IE=10μA IF=0
集电极电流 IC 10 — — mA
*1电流传输比 CTR 1,000— — % IF=1mA VCE=2V
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat) — — 1.2 V IF=20mA IC=100mA
隔离电阻 Riso 5×10101×1011— Ω DC500V 40 ~ 60% R.H. 浮动电容 Cf — 0.6 1 pFV=0, f=1MHz
截止频率 fc17 — kHz VCE=2V, IC=20mA RL=100Ω, -3dB 响应时间 (Rise) tr — 100 300μs
传输特性
响应时间（下降） tf — 20 100μs VCC=2V，IC=20mA RL=100Ω

当使用其他焊接方法（如红外线灯）时，器件模具中的温度可能会部分升高。 

保持器件封装的温度在上述 (1) 推荐的脚印图案 (MOUNT PAD) 的条件下 

单位：毫米