MOC3052S-TA1贴片光耦双向可控硅晶体管

MOC3052S-TA1 光宝 贴片SMD-6 光电耦合器三端双向可控硅输出现货

MOC3063S-TA1 MOC3083S-TA1 SMD-6 光电耦合器

特征

高临界断态电压上升率 (dv/dt : MIN. 1000V / μs) 

双列直插式封装：MOC3052

温度控制

MOC3052S-TA1尺寸图

*1. 年日期代码。
*2. 2 位数的工作周。
*3. 应标明工厂识别标志。 （Z：台湾，Y：泰国，X：中国-TJ，W：中国-CZ）
*4. 型号：MOC3052

说明 符号 尺寸单位为 mm（英寸）
胶带宽 W 16 ± 0.3 ( .63 )
链轮孔间距 P04 ± 0.1 ( .15 )
隔间 F P27.5 ± 0.1 ( .295 ) 2 ± 0.1 ( .079 ) 隔间距离 P112 ± 0.1 ( .472 )

MOC3052S-TA1包装图

ABSOLUTE  MAXIMUM  RATING ( Ta = 25°C )

参数  符号   单位
输入
正向电流 IF 50mA
反向电压 VR 6V
输出
功率耗散 PD 100 mW
断态输出端电压 VDRM 600V
峰值重复浪涌电流 (PW=100μs, 120pps ) ITSM 1A 

集电极功耗 PC 300 mW
总功耗 Ptot 330 mW
隔离电压 Viso 5,000 Vrms
环境工作温度范围 TA-40 ~ +100 °C
储存温度范围 Tstg-55 ~ +150 °C
焊接温度 TL  260 °C

电气 - 光学特性 (Ta = 25°C)
参数符号 MIN.TYP.MAX.UNIT 条件
输入
正向电压 VF — 1.21.4V IF=20mA
反向电流 IR — 0.0510 μA  VR=6V
输出
*1峰值阻塞电流，任一方向 IDRM— — 100nAVDRM = 600V
峰值导通电压，任一方向 VTM— — 3.0V ITM=100 mA 峰值
*2临界断态电压上升率 dv/dt 1000— — V/μs
耦合
*3 LED 触发电流，锁存输出所需的电流，任一方向 IFT— — 10 mA 主端电压 = 3V
保持电流，任一方向 IH— 400— μA