FQB4N80TM半导体晶体管原装

FQB4N80TM半导体晶体管原装

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 3.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
mini工作温度: - 55 C
max工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.13 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
系列: FQB4N80
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 9.65 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - mini值: 3.8 S
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 45 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
单位重量: 4 g

FQB4N80TM半导体晶体管原装

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 3.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
mini工作温度: - 55 C
max工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.13 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
系列: FQB4N80
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 9.65 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - mini值: 3.8 S
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 45 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
单位重量: 4 g

FQB4N80TM半导体晶体管原装

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 3.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
mini工作温度: - 55 C
max工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.13 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
系列: FQB4N80
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 9.65 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - mini值: 3.8 S
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 45 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
单位重量: 4 g