STP5NK80ZFP半导体晶体管

STP5NK80ZFP半导体晶体管

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 4.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 32.4 nC
mini工作温度: - 55 C
max工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Tube
配置: Single
高度: 9.3 mm
长度: 10.4 mm
系列: STP5NK80ZFP
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
类型: MOSFET
宽度: 4.6 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - mini值: 4.25 S
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 2 g

STP5NK80ZFP半导体晶体管

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 4.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 32.4 nC
mini工作温度: - 55 C
max工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Tube
配置: Single
高度: 9.3 mm
长度: 10.4 mm
系列: STP5NK80ZFP
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
类型: MOSFET
宽度: 4.6 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - mini值: 4.25 S
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 2 g