产品详情

IRFB3206PBF MOS 场效应晶体管

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市共强科技有限公司

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一般信息
数据列表 IRFB3206PbF, IRFS(L)3206PbF;
标准包装   50
包装   管件 
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 HEXFET®
其它名称 64-0088PBF
64-0088PBF-ND
SP001566480

规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc）
驱动电压 Rds On 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 3 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th) 4V @ 150μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 170nC @ 10V
Vgs ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 6540pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
型号/规格

IRFB3206PBF

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

TO-220(TO-220-3)

环保类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装