产品详情

NTJD4001NT1G ON Semiconductor (安森美) MOS管

地区：北京 北京市
认证： 无

北京华泱科技有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺
技术参数
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
250 mA
漏源极电阻
1.50 Ω
极性
Dual N-Channel
耗散功率
0.272(W)
漏源极电压(Vds)
30.0 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)
250 mA
封装参数
安装方式
Surface Mount
引脚数
6
封装
SOT-363
外形尺寸
封装
SOT-363
其他
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
制造应用
Power Management, Industrial, 电源管理, 工业, 车用, Automotive
符合标准
RoHS标准
Compliant
含铅标准
Lead Free
REACH SVHC标准
No SVHC
海关信息
ECCN代码
EAR99
型号/规格

NTJD4001NT1G

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

SOT-363

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装