PMZB290UNE,315 NXP USA Inc. 单个

PMZB290UNE,315  NXP USA Inc.  单个

制造商

NXP USA Inc.

制造商产品编号

PMZB290UNE,315

PMZB290UNE,315  NXP USA Inc.  单个 

包装散装

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）380 毫欧 @ 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）950mV @ 250μA

Vgs（大值）±8V

FET 功能-

功率耗散（大值）360mW（Ta），2.7W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装DFN1006B-3

封装/外壳3-XFDFN

漏源电压（Vdss）20 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）0.68 nC @ 4.5 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）83 pF @ 10 V

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