TPH1R005PL,L1Q Toshiba 单个

TPH1R005PL,L1Q  Toshiba   单个

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商产品编号

TPH1R005PL,L1Q

TPH1R005PL,L1Q  Toshiba   单个 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)150A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）1.04 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）2.4V @ 1mA

Vgs（大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（大值）960mW（Ta），170W（Tc）

工作温度175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-SOP Advance（5x5）

封装/外壳8-PowerVDFN

漏源电压（Vdss）45 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）99 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）9600 pF @ 22.5 V

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