TPH1R005PL,L1Q Toshiba 单个

地区:广东 深圳
认证:

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TPH1R005PL,L1Q  Toshiba   单个

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商产品编号

TPH1R005PL,L1Q

TPH1R005PL,L1Q  Toshiba   单个 

包装卷带(TR)剪切带(CTDigi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)150ATc

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On4.5V10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)1.04 毫欧 @ 50A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)2.4V @ 1mA

Vgs(大值)±20V

FET 功能-

功率耗散(大值)960mWTa),170WTc

工作温度175°CTJ

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-SOP Advance5x5

封装/外壳8-PowerVDFN

漏源电压(Vdss45 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)99 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)9600 pF @ 22.5 V

TPH1R005PL,L1Q  Toshiba   单个

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型号/规格

TPH1R005PL,L1Q

品牌/商标

Toshiba

封装

8-PowerVDFN

批号

2020+

最大工作温度

175°C