STD80N4F6 STMicroelectronics

STD80N4F6   STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

制造商产品编号

STD80N4F6

STD80N4F6   STMicroelectronics 

包装卷带（TR）剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)80A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）6 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4V @ 250μA

Vgs（大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（大值）70W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装DPAK

封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

漏源电压（Vdss）40 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）36 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）2150 pF @ 25 V

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