NVMFS5C430NLAFT1G onsemi 单个

地区:广东 深圳
认证:

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NVMFS5C430NLAFT1G  onsemi  单个

制造商

onsemi

制造商产品编号

NVMFS5C430NLAFT1G

NVMFS5C430NLAFT1G  onsemi  单个 

包装卷带(TR)剪切带(CTDigi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)38ATa),200ATc

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On4.5V10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)1.4 毫欧 @ 50A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)70 nC @ 10 V

Vgs(大值)±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)4300 pF @ 20 V

FET 功能-

功率耗散(大值)3.8WTa),110WTc

工作温度-55°C ~ 175°CTJ

安装类型表面贴装型

供应商器件封装5-DFN5x6)(8-SOFL

封装/外壳8-PowerTDFN5 引线

NVMFS5C430NLAFT1G  onsemi  单个

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型号/规格

NVMFS5C430NLAFT1G

品牌/商标

onsemi

封装

8-PowerTDFN

批号

2021+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

175°C