NAND闪存：K9KAG08U0M-PIB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
封装：TSSOP
最大待机电流：0.0001 A
最大压摆率：0.035 mA
标称电源电压（Vsup）：3.3 V
NAND闪存：K9KAG08U0M-PIB0功能特征：
•电源
-3.3V器件（K9XXG08UXM）：2.7V〜3.6V
•组织
-存储单元阵列：（2G + 64M）x 8位
-数据寄存器：（4K + 128）x 8位
•自动编程和擦除
-页面程序：（4K + 128）Byte
-块擦除：（256K + 8K）Byte
•页面读取操作
-页面大小：（4K + 128）Byte
-随机读取：25μs（最大值）
-串行访问：25ns（最小）
* K9NCG08U5M：50ns（最小）
•快速的写入周期时间
-页面编程时间：200μs（典型值）
-块擦除时间：1.5ms（Typ。）
2G x 8位/ 4G x 8位/ 8G x 8位NAND闪存
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
-电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
-耐久性：100K编程/擦除周期（具有1bit / 512ByteECC）
-资料保留时间：10年
•命令驱动操作
•具有内部1bit / 528Byte EDC的智能回写
•版权保护的唯一ID
•包装：
-K9KAG08U0M-PCB0 / PIB0：无铅封装
48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9WBG08U1M-PCB0 / PIB0：无铅封装
48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9WBG08U1M-ICB0 / IIB0
52-TLGA引脚（12 x 17 / 1.0 mm间距）
-K9MCG08U5M-PCB0 / PIB0：无铅封装
48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
NAND闪存：产品列表：
NAND闪存：封装示意图：
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