预偏置 ON Semiconductor MUN2215T1G

地区:广东 深圳
认证:

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预偏置  ON Semiconductor  MUN2215T1G

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

MUN2215T1G

预偏置  ON Semiconductor  MUN2215T1G 

晶体管类型    NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(大值)   100mA

电压 - 集射极击穿(大值)  50V

电阻器 - 基极 (R1)     10 kOhms

不同 IcVce DC 电流增益 (hFE)(小值)   160 @ 5mA10V

不同 IbIc Vce 饱和压降(大值)       250mV @ 1mA10mA

电流 - 集电极截止(大值)  500nA

功率 - 大值     338mW

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      TO-236-3SC-59SOT-23-3

供应商器件封装    SC-59

预偏置  ON Semiconductor  MUN2215T1G

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型号/规格

MUN2215T1G

品牌/商标

ON Semiconductor

封装

SC-59

批号

2020+