阵列 Toshiba HN2D01FU(TE85L,F)

地区:广东 深圳
认证:

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阵列  Toshiba HN2D01FU(TE85L,F)

制造商   

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件编号   

HN2D01FU(TE85L,F)

 阵列  Toshiba HN2D01FU(TE85L,F)

二极管配置    3 个独立式

二极管类型    标准

电压 - DC 反向 (Vr)(大值)       80V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)  80mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)       1.2V @ 100mA

速度       小信号 =< 200mAIo),任意速度

反向恢复时间 (trr)       4ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏      500nA @ 80V

工作温度 -      125°C(大)

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      6-TSSOPSC-88SOT-363

供应商器件封装    US6

阵列  Toshiba HN2D01FU(TE85L,F)

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型号/规格

HN2D01FU(TE85L,F)

品牌/商标

Toshiba

封装

US6

批号

2020+

最大工作温度

125°C