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产品属性
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阵列 Toshiba HN2D01FU(TE85L,F)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商零件编号
HN2D01FU(TE85L,F)
阵列 Toshiba HN2D01FU(TE85L,F)
二极管配置 3 个独立式
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(大值) 80V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) 80mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.2V @ 100mA
速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr) 4ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 500nA @ 80V
工作温度 - 结 125°C(大)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 US6
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HN2D01FU(TE85L,F)
Toshiba
US6
2020+
125°C