NAND闪存：MT29F16G08ABABAWP-IT:B

NAND闪存：MT29F16G08ABABAWP-IT:B
制造商:Micron Technology
产品种类:NAND闪存

MT29F16G08ABABAWP-IT:B特征：
•兼容开放式NAND闪存接口（ONFI）2.1
•单层电池（SLC）技术
•组织
–页面大小x8：4320字节（4096 + 224字节）
–块大小：128页（512K + 28K字节）
–飞机尺寸：2飞机x每飞机2048块
–设备大小：16Gb：4096个块；
32Gb：8192块；
64Gb：16,384块;
128Gb：32,768个块
•同步I / O性能
–高达同步定时模式4
–时钟频率：12ns（DDR）
–每个引脚的读取/写入吞吐量：166 MT / s
•异步I / O性能
–高达异步定时模式4
–tRC / tWC：25ns（最小值）
•阵列性能
–阅读页：25μs（MAX）
–程序页面：230μs（TYP）
–擦除块：700μs（TYP）
•工作电压范围
– VCC：2.7–3.6V
– VCCQ：1.7–1.95V，2.7–3.6V
•命令集：ONFI NAND闪存协议
•高级命令集
–程序缓存
–顺序读取缓存
–随机读取缓存
–一次性可编程（OTP）模式
–多平面命令
–多LUN操作
–读取唯一ID

–复制

•操作状态字节提供检测软件的方法
–操作完成
–通过/失败条件
–写保护状态
•数据选通（DQS）信号为同步接口中的数据DQ提供了一种硬件方法

NAND闪存：异步和同步信号定义（续）：

NAND闪存：设备和阵列组织：

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型号/规格

MT29F16G08ABABAWP-IT:B

品牌/商标

Micron

封装

TSOP

批号

19+

包装数量

960

供应NAND闪存：MT29F16G08ABABAWP-IT:B