NAND闪存：MT29F16G08ABABAWP-IT:B

NAND闪存：MT29F16G08ABABAWP-IT:B
制造商:Micron Technology
产品种类:NAND闪存
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-48
数据总线宽度:8 bit
电源电压-最小:2.7 V
电源电压-最大:3.6 V
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C

NAND闪存：MT29F16G08ABABAWP-IT:B特征：
•兼容开放式NAND闪存接口（ONFI）2.2
•单层电池（SLC）技术
•组织
–页面大小x8：4320字节（4096 + 224字节）
–块大小：128页（512K + 28K字节）
–飞机尺寸：2飞机x每飞机2048块
–设备大小：16Gb：4096个块；
32Gb：8192块； 64Gb：16,384个块
•同步I / O性能
–高达同步定时模式5
–时钟频率：10ns（DDR）
–每个引脚的读取/写入吞吐量：200 MT / s
•异步I / O性能
–高达异步计时模式5
–tRC / tWC：20ns（最小）
•阵列性能
–阅读页：35μs（MAX）
–程序页面：350μs（TYP）
–擦除块：1.5ms（TYP）
•工作电压范围
– VCC：2.7–3.6V
– VCCQ：1.7-1.95V，2.7–3.6V
•命令集：ONFI NAND闪存协议
•高级命令集
–程序缓存
–顺序读取缓存
–随机读取缓存
–一次性可编程（OTP）模式
–多平面命令
–多LUN操作
–读取唯一ID
–复制

NAND闪存：零件编号：

每个逻辑单元（LUN）的阵列组织：

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型号/规格

MT29F16G08ABABAWP-IT:B

品牌/商标

Micron Technology

封装

TSOP

批号

19+

安装风格

SMD/SMT