NAND闪存:K9WAG08U1M-PIB0

地区:广东 深圳
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NAND闪存:K9WAG08U1M-PIB0
制造商:SAMSUNG
内存集成电路类型:FLASH
封装:TSOP
最高工作温度:85 °C
工作温度:-40 °C
座面最大高度:1.2 mm
最大电源电压(Vsup):3.6 V
最小电源电压(Vsup):2.7 V
标称电源电压(Vsup):3.3 V
长度:18.4 mm

NAND闪存:K9WAG08U1M-PIB0功能特征:
•电源
 -2.70V〜3.60V
•组织
 -存储单元阵列:(1G + 32M)x 8位
 -数据寄存器:(2K + 64)x 8位
•自动编程和擦除
 -页面程序:(2K + 64)Byte
 -块擦除:(128K + 4K)Byte
•页面读取操作
 -页面大小:(2K + 64)Byte
 -随机读取:20μs(最大)
 -串行访问:25ns(最小)
 * K9NBG08U5M:50ns(最小)
•快速的写入周期时间
 -页面编程时间:200μs(典型值)
 -块擦除时间:1.5ms(Typ。)
1G x 8位/ 2G x 8位/ 4G x 8位NAND闪存
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
 -电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
 -耐久性:100K编程/擦除周期(具有1bit / 512Byte ECC)
 -资料保留时间:10年
•命令驱动操作
•具有内部1bit / 528Byte EDC的智能回写
•版权保护的唯一ID
•包装:
 -K9K8G08U0M-YCB0 / YIB0
 48-TSOP I引脚(12 x 20 / 0.5 mm间距)
 -K9K8G08U0M-PCB0 / PIB0:无铅封装
 48-TSOP I引脚(12 x 20 / 0.5 mm间距)
 -K9WAG08U1M-YCB0 / YIB0
 48-TSOP I引脚(12 x 20 / 0.5 mm间距)
 -K9WAG08U1M-PCB0 / PIB0:无铅封装
 48-TSOP I引脚(12 x 20 / 0.5 mm间距)
 -K9WAG08U1M-ICB0 / IIB0
 52-TLGA引脚(12 x 17 / 1.0 mm间距)
 -K9NBG08U5M-PCB0 / PIB0:无铅封装
 48-TSOP I引脚(12 x 20 / 0.5 mm间距)

NAND闪存:包装尺寸:


安富利(深圳)商贸有限公司是一家大型代理渠道商,经营世界各国名牌厂家的集成电路及其它电子元件代理品牌:Super Semi(超致)、赛普微、奥伦德、RUNIC(润石)、Honeywell(霍尼韦尔),分销品牌:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体) 等等,Strong Product Line:DSP、MCU、FPGA、SENSOR、OPA、TPS、LOGIC、MOS、PWM、AD-DC、DC-DC等等。 多年来,公司专注于电源行业、LED照明、路灯电源、防水电源、UPS逆变器、PC POWER、电动工具、矿机、消费电子。坚持为客户负责,为员工着想的经营之道,不断进行业务创新,提高销售业绩,为成为分销行业基业长青的卓越企业进行始终如一的努力!产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域,在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。
型号/规格

K9WAG08U1M-PIB0

品牌/商标

SAMSUNG

封装

TSOP

批号

19+

安装风格

SMD/SMT