动态随机存取存储器:MT41K512M16TNA-125

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8Gb(TwinDie™)1.35V DDR3L SDRAM是1.5V DDR3 SDRAM器件的低压版本。 它使用了两个Micron 4Gb DDR3L SDRAM x16芯片,主要用于两个等级的4Gb DDR3L SDRAM。 除非另有说明,否则DDR3L符合等效密度DDR3 SDRAM数据表中列出的功能和时序规范。


动态随机存取存储器:MT41K512M16TNA-125

制造商:Micron Technology
产品种类:动态随机存取存储器
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:FBGA-84

动态随机存取存储器:MT41K512M16TNA-125特征:
•在一个封装中使用两个4Gb x16微米管芯
•两个等级(包括双CS#,ODT,CKE和ZQball)
•VDD = VDDQ = 1.35V(1.283–1.425V); 向后兼容1.5V工作
•1.35V中心端接的推/拉I / O
•JEDEC标准播出
•低调包装
•0°C至95°C的TC
– 0°C至85°C:8192个刷新周期(64毫秒)
– 85°C至95°C:32毫秒内的8192个刷新周期
•配置
– 32 Meg x 16 x 8组x 2列512M16
•FBGA封装(无铅)– 96球FBGA
(10mm x 14mm x 1.2mm)TNA
•时间–周期时间1
– 1.071ns @ CL = 13(DDR3L-1866)-107
– CL = 11(DDR3L-1600)-125时为1.25ns
– CL = 9(DDR3L-1333)-15E时为1.5ns
– 1.87ns @ CL = 7(DDR3L-1066)-187E
•工作温度
–商业(0°C≤TC≤95°C)无
–工业(-40°C≤TC≤95°C)IT

动态随机存取存储器:寻址:

动态随机存取存储器:功能框图:

安富利(深圳)商贸有限公司是一家大型代理渠道商,经营世界各国名牌厂家的集成电路及其它电子元件代理品牌:Super Semi(超致)、赛普微、奥伦德、RUNIC(润石)、Honeywell(霍尼韦尔),分销品牌:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、INFINEON(英飞凌)、IR(国际整流器)、ON(安森美)、MPS(芯源半导体) 等等,Strong Product Line:DSP、MCU、FPGA、SENSOR、OPA、TPS、LOGIC、MOS、PWM、AD-DC、DC-DC等等。 多年来,公司专注于电源行业、LED照明、路灯电源、防水电源、UPS逆变器、PC POWER、电动工具、矿机、消费电子。坚持为客户负责,为员工着想的经营之道,不断进行业务创新,提高销售业绩,为成为分销行业基业长青的卓越企业进行始终如一的努力!产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域,在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。
型号/规格

MT41K512M16TNA-125

品牌/商标

Micron

封装

BGA

批号

19+

安装风格

SMD/SMT