动态随机存取存储器：MT41K512M16TNA-125

8Gb（TwinDie™）1.35V DDR3L SDRAM是1.5V DDR3 SDRAM器件的低压版本。它使用了两个Micron 4Gb DDR3L SDRAM x16芯片，主要用于两个等级的4Gb DDR3L SDRAM。除非另有说明，否则DDR3L符合等效密度DDR3 SDRAM数据表中列出的功能和时序规范。

动态随机存取存储器：MT41K512M16TNA-125

制造商:Micron Technology
产品种类:动态随机存取存储器
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:FBGA-84

动态随机存取存储器：MT41K512M16TNA-125特征：
•在一个封装中使用两个4Gb x16微米管芯
•两个等级（包括双CS＃，ODT，CKE和ZQball）
•VDD = VDDQ = 1.35V（1.283–1.425V）；向后兼容1.5V工作
•1.35V中心端接的推/拉I / O
•JEDEC标准播出
•低调包装
•0°C至95°C的TC
– 0°C至85°C：8192个刷新周期（64毫秒）
– 85°C至95°C：32毫秒内的8192个刷新周期
•配置
– 32 Meg x 16 x 8组x 2列512M16
•FBGA封装（无铅）– 96球FBGA
（10mm x 14mm x 1.2mm）TNA
•时间–周期时间1
– 1.071ns @ CL = 13（DDR3L-1866）-107
– CL = 11（DDR3L-1600）-125时为1.25ns
– CL = 9（DDR3L-1333）-15E时为1.5ns
– 1.87ns @ CL = 7（DDR3L-1066）-187E
•工作温度
–商业（0°C≤TC≤95°C）无
–工业（-40°C≤TC≤95°C）IT

动态随机存取存储器：寻址：

动态随机存取存储器：功能框图：

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型号/规格

MT41K512M16TNA-125

品牌/商标

Micron

封装

BGA

批号

19+

安装风格

SMD/SMT