NAND闪存:K9HCG08U1M-PIB0
制造商:SAMSUNG
内存集成电路类型:FLASH
长度:18.4毫米
封装 / 箱体:FBGA-1152
NAND闪存:K9HCG08U1M-PIB0功能特征:
•电源电压:2.7 V〜3.6 V
•组织
-存储单元阵列:(2G + 64M)x 8位
-数据寄存器:(4K + 128)x 8位
•自动编程和擦除
-页面程序:(4K + 128)Byte
-块擦除:(512K + 16K)Byte
•页面读取操作
-页面大小:(4K + 128)Byte
-随机读取:60μs(最大)
-串行访问:25ns(最小)
* K9XDG08U5M:50ns(最小)
•存储器单元:2bit /存储器单元
•快速的写入周期时间
-编程时间:800μs(典型值)
-块擦除时间:1.5ms(Typ。)
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
-电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
-续航能力:待定(具有4bit / 512byte ECC)
-资料保留时间:10年
•命令寄存器操作
•版权保护的唯一ID
•包装:
-K9LBG08U0M-PCB0 / PIB0:无铅封装
48-TSOP I引脚(12 x 20 / 0.5 mm间距)
-K9HCG08U1M-PCB0 / PIB0:无铅封装
48-TSOP I引脚(12 x 20 / 0.5 mm间距)
-K9HCG08U1M-ICB0 / IIB0
52-TLGA引脚(12 x 17 / 1.0 mm间距)
-K9MDG08U5M-PCB0 / PIB0:两个K9HCG08U1M封装堆叠
48-TSOP I引脚(12 x 20 / 0.5 mm间距):无铅封装
-K9MDG08U5M-ZCB0 / ZIB0:两个K9HCG08U1M封装堆叠
48-引脚WELP(12 x 20 / 0.5 mm间距):无铅封装
-K9PDG08U5M-LCB0 / LIB0:铅/无卤素包装
52-LLGA引脚(14 x 18 / 1.00 mm间距)
NAND闪存:功能框图:
NAND闪存:绝对最大额定值:
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