原装现货SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3     MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:  无铅环保  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 4.7 A

Rds On-漏源导通电阻: 120 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 14.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

系列: SI9  

晶体管类型: 1 P-Channel  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 8.5 nS  

下降时间: 30 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 70 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 35 ns, 40 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns, 30 ns  

零件号别名: SI9407BDY-GE3  

单位重量: 506.600 mg  

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