IRLML2060TRPBF晶体管 FET

IRLML2060TRPBF   分立半导体产品  晶体管  FET   MOSFET  单

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  无铅环保  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 1.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 480 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 670 pC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.25 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 1.1 mm  

长度: 2.9 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 1.3 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 1.6 S  

下降时间: 2.8 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 3.8 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 3.7 ns  

典型接通延迟时间: 4.9 ns  

零件号别名: SP001578644  

单位重量: 42 mg  

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