现货供应NCE2003 新洁能MOS场效应管
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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描述
NCE2003采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于形成电平移位的高侧开关,并用于许多其他应用。
一般特征
●N通道
VDS = 20V,ID = 3A
RDS(ON)<35mΩ@ VGS = 4.5V
RDS(ON)<55mΩ@ VGS = 2.5V
●P通道
VDS = -20V,ID = -3A
RDS(ON)<75mΩ@ VGS = -4.5V
RDS(ON)<100mΩ@ VGS = -2.5V
●高功率和电流处理能力
●获得无铅产品
●表面贴装封装
NCE2003
NCE
SOT-23-6L
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率