现货供应NCE2003 新洁能MOS场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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描述

NCE2003采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于形成电平移位的高侧开关,并用于许多其他应用。

一般特征

●N通道

VDS = 20V,ID = 3A

RDS(ON)<35mΩ@ VGS = 4.5V

RDS(ON)<55mΩ@ VGS = 2.5V

●P通道

VDS = -20V,ID = -3A

RDS(ON)<75mΩ@ VGS = -4.5V

RDS(ON)<100mΩ@ VGS = -2.5V

●高功率和电流处理能力

●获得无铅产品

●表面贴装封装


型号/规格

NCE2003

品牌/商标

NCE

封装形式

SOT-23-6L

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率